あるAnonymous Coward 曰く、

今回、JSTさきがけ「冨岡克広」氏、北海道大学「福井孝志」教授らは、半導体中のトンネル効果を用いることで、従来のトランジスター理論限界を大きく下回る低消費電力トランジスターの開発に成功した（JSTリリース、マイナビ）。

LSIやCPUなどで使用されている半導体集積回路は、加工技術を微細化してチップのサイズを縮小することにより、高性能化、低消費電力化、低コスト化を実現してきた。リーク電流が出ることとサブスレッショルド係数（室温で60mV／桁）に理論的な限界があることから、近いうちに性能向上の限界が近いと見られていた。

今回の研究では、半導体結晶成長技術を用いて、シリコンと化合物半導体のナノ接合を作ることによって、新しい界面を形成し、この界面にできる障壁を電子が量子的に通り抜けるトンネル効果を用いた。これにより、世界最小クラスとなるサブスレッショルド係数「21mV／桁」を達成。

この素子はあらゆる電子機器の省エネルギー技術へ応用でき、現在の半導体集積回路に比べて消費電力を1/10以下に低減できるとしている。